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Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS50DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 200-6846
Référence fabricant:: SISS50DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Gen IV Type N-Channel MOSFET, 108 A, 45 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISS50DN-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 203,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,401 €	1 203,00 €

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N° de stock RS:: 200-6846
Référence fabricant:: SISS50DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	108A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	45V
	Package Type	PowerPAK 1212
	Series	TrenchFET Gen IV
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.1mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	65.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	70nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	3.3mm
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 108A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 45V
	Package Type PowerPAK 1212
	Series TrenchFET Gen IV
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.1mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 65.7W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 3.3mm
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Document- SISS50DN-T1-GE3

The Vishay SISS50DN-T1-GE3 is a N-channel 45V (D-S) MOSFET.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS(on) in a compact and thermally enhanced package

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

100 % Rg and UIS tested

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