Vishay Dual SI7997DP Type N-Channel MOSFET, -60 A, -30 V Enhancement, 8-Pin PowerPack

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
180-7325
Référence fabricant:
SI7997DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-60A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

PowerPack

Series

SI7997DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

29W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

51nC

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, PowerPAK-SO-8 package is a new age product with a drain-source voltage of 30V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 5.5mohm at a gate-source voltage of 10V. It has a maximum power dissipation of 46W. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• PWM optimised

• TrenchFET power MOSFET

Applications


• Adaptor switches

• Battery management

• Load switches

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.