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Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET, -4.5 A, -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack SIA931DJ-T1-GE3

N° de stock RS:: 180-7884
Référence fabricant:: SIA931DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET, -4.5 A, -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack SIA931DJ-T1-GE3

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Unité	Prix par unité	le paquet*
20 - 180	0,442 €	8,84 €
200 - 480	0,433 €	8,66 €
500 - 980	0,332 €	6,64 €
1000 - 1980	0,265 €	5,30 €
2000 +	0,221 €	4,42 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 180-7884
Référence fabricant:: SIA931DJ-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Series	SIA931DJ
	Package Type	PowerPack
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.1Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.1nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	5W
	Transistor Configuration	Dual
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.15mm
	Standards/Approvals	No
	Height	0.8mm
	Width	2.15 mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -4.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Series SIA931DJ
	Package Type PowerPack
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.1nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 5W
	Transistor Configuration Dual
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.15mm
	Standards/Approvals No
	Height 0.8mm
	Width 2.15 mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Pays d'origine :: CN

The Vishay SIA931DJ is a dual P-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of -30V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having Power PAK SC-70 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.065ohms at 10VGS and 0.08ohms at 6VGS. Maximum drain current -4.5A.

Trench FET Gen III power MOSFET

Thermally enhanced Power PAK SC-70 package small footprint area low on resistance

100 % Rg tested

Vishay Dual SIA931DJ Type P-Channel MOSFET, -4.5 A, -30 V Enhancement, 6-Pin PowerPack SIA931DJ-T1-GE3

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