Vishay SI9945CDY Dual N-Channel MOSFET, 7.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SI9945CDY-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 736-345
- Référence fabricant:
- SI9945CDY-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Dual N-Channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 7.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SO-8 | |
| Series | SI9945CDY | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.032Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 3.3nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 3.6W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Dual N-Channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 7.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SO-8 | ||
Series SI9945CDY | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.032Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.3nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 3.6W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- IL
The Vishay N-Channel MOSFET designed for efficient power management. It is Ideal for various applications including load switches and LCD TV inverter circuits.
TrenchFET technology delivers reduced switching losses
Optimised Qg, Qgd, and Qgs ratios enhance performance
100% tested for Rg and UIS ensures reliability
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