Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack SI7216DN-T1-E3

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180-7922
Référence fabricant:
SI7216DN-T1-E3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

SI7216DN

Package Type

PowerPack

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

25mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12.5nC

Minimum Operating Temperature

-50°C

Maximum Power Dissipation Pd

20.8W

Forward Voltage Vf

1.2V

Transistor Configuration

Dual

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.4 mm

Standards/Approvals

No

Length

3.4mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.

Trench FET power MOSFET

Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

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