Références fabricant

Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack

N° de stock RS:: 180-7312
Référence fabricant:: SI7216DN-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Vishay Dual SI7216DN Type N-Channel MOSFET, 6.5 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPack

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 896,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,632 €	1 896,00 €

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N° de stock RS:: 180-7312
Référence fabricant:: SI7216DN-T1-E3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Package Type	PowerPack
	Series	SI7216DN
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	25mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	12.5nC
	Minimum Operating Temperature	-50°C
	Maximum Power Dissipation Pd	20.8W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Dual
	Standards/Approvals	No
	Length	3.4mm
	Height	1.12mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6.5A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Package Type PowerPack
	Series SI7216DN
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 25mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 12.5nC
	Minimum Operating Temperature -50°C
	Maximum Power Dissipation Pd 20.8W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Dual
	Standards/Approvals No
	Length 3.4mm
	Height 1.12mm
	Automotive Standard No

Datasheet

Pays d'origine :: CN

The Vishay SI7216DN is a dual N-channel MOSFET having drain to source(Vds) voltage of 40V.The gate to source voltage(VGS) is 20V. It is having power PAK 1212-8 package. It offers drain to source resistance (RDS.) 0.032ohms at 10VGS and 0.039ohms at 4.5VGS. Maximum drain current 6A.

Trench FET power MOSFET

Low thermal resistance Power PAK package with small size and low 1.07 mm profile

100 % Rg and UIS tested

Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

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