ROHM HT8KE5H Dual N-Channel MOSFET, 6.5 A, 100 V Enhancement, 8-Pin HSOP-8 HT8KE5HTB1

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331-687
Référence fabricant:
HT8KE5HTB1
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Dual N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HT8KE5H

Package Type

HSOP-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

210mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

13W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM Power MOSFET is a low on resistance MOSFET ideal for switching and motor drives applications. This power MOSFET comes in a high power small mould package.

Pb free plating

RoHS compliant

Halogen free

100 percent Rg and UIS tested

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