Vishay IRFBE Type N-Channel Power MOSFET, 3.6 A, 900 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFBF30PBF

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542-9557
Référence fabricant:
IRFBF30PBF
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

Power MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

900V

Package Type

TO-220AB

Series

IRFBE

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.7Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.41mm

Standards/Approvals

RoHS 2002/95/EC

Width

4.7 mm

Height

9.01mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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