Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
170-8300
Référence fabricant:
SQD25N06-22L_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

25A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

SQ Rugged

Mount Type

PCB

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.022Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

50nC

Maximum Power Dissipation Pd

62W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Height

2.38mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Automotive Standard

AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs


• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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