Références fabricant

Vishay SQ Rugged N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD25N06-22L_GE3

N° de stock RS:: 170-8300
Référence fabricant:: SQD25N06-22L_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQ Rugged N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 25 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD25N06-22L_GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 170-8300
Référence fabricant:: SQD25N06-22L_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	TrenchFET Power MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-252
	Series	SQ Rugged
	Mount Type	PCB
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.022Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	50nC
	Maximum Power Dissipation Pd	62W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	2.38mm
	Length	6.73mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Width	6.22mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Vishay
	Product Type TrenchFET Power MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 25A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-252
	Series SQ Rugged
	Mount Type PCB
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.022Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 50nC
	Maximum Power Dissipation Pd 62W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 2.38mm
	Length 6.73mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Width 6.22mm
	Automotive Standard AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs

• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101

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