Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40N06-14L_GE3
- N° de stock RS:
- 787-9484
- Référence fabricant:
- SQD40N06-14L_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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|---|---|---|
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| 125 - 245 | 1,858 € | 9,29 € |
| 250 - 495 | 1,748 € | 8,74 € |
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- N° de stock RS:
- 787-9484
- Référence fabricant:
- SQD40N06-14L_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 40A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SQ Rugged | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 29mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 34nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 75W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 2.38mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 40A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SQ Rugged | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 75W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 2.38mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.
Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs
• AEC-Q101 qualified
• Junction temperature up to +175°C
• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies
• Innovative space-saving package options
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Approvals
AEC-Q101
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