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Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40N06-14L_GE3

N° de stock RS:: 787-9484
Référence fabricant:: SQD40N06-14L_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQ Rugged Type N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD40N06-14L_GE3

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50 - 120	1,604 €	8,02 €
125 - 245	1,514 €	7,57 €
250 - 495	1,426 €	7,13 €
500 +	1,336 €	6,68 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 787-9484
Référence fabricant:: SQD40N06-14L_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-252
	Series	SQ Rugged
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	29mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	75W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Height	2.38mm
	Length	6.73mm
	Width	6.22 mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-252
	Series SQ Rugged
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 29mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 75W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Height 2.38mm
	Length 6.73mm
	Width 6.22 mm
	Automotive Standard AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs

• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101