Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23

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N° de stock RS:
165-6982
Référence fabricant:
SQ2310ES-T1_BE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SQ Rugged

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.03Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

8.5nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±8 V

Maximum Power Dissipation Pd

2W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Automotive Standard

AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs


• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Approvals

AEC-Q101

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