Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 11 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252

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N° de stock RS:
145-2756
Référence fabricant:
SQD19P06-60L_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

SQ Rugged

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

-1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

46W

Maximum Operating Temperature

175°C

Length

6.73mm

Height

2.38mm

Standards/Approvals

No

Width

6.22 mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
TW

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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