Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 11 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD19P06-60L_GE3
- N° de stock RS:
- 819-3936
- Référence fabricant:
- SQD19P06-60L_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- N° de stock RS:
- 819-3936
- Référence fabricant:
- SQD19P06-60L_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type P | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 11A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | SQ Rugged | |
| Package Type | TO-252 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 125mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 27nC | |
| Forward Voltage Vf | -1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 46W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 6.73mm | |
| Height | 2.38mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type P | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 11A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series SQ Rugged | ||
Package Type TO-252 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 125mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 27nC | ||
Forward Voltage Vf -1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 46W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 6.73mm | ||
Height 2.38mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- TW
P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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