Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 11 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-252 SQD19P06-60L_GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

10,56 €

(TVA exclue)

12,78 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 60 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
  • Plus 160 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
  • Plus 9 970 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 +1,056 €10,56 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
819-3936
Référence fabricant:
SQD19P06-60L_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

11A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-252

Series

SQ Rugged

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

125mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

46W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

27nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

6.22 mm

Length

6.73mm

Standards/Approvals

No

Height

2.38mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
TW

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes