Références fabricant

Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3

N° de stock RS:: 787-9443
Référence fabricant:: SQ2310ES-T1_BE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQ Rugged Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 6 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2310ES-T1_BE3

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10 - 90	0,701 €	7,01 €
100 - 240	0,686 €	6,86 €
250 - 490	0,54 €	5,40 €
500 - 990	0,343 €	3,43 €
1000 +	0,308 €	3,08 €

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N° de stock RS:: 787-9443
Référence fabricant:: SQ2310ES-T1_BE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	TrenchFET Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Series	SQ Rugged
	Package Type	SOT-23
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.03Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±8 V
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8.5nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.02mm
	Width	1.4 mm
	Length	3.04mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Vishay
	Product Type TrenchFET Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Series SQ Rugged
	Package Type SOT-23
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.03Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±8 V
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8.5nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.02mm
	Width 1.4 mm
	Length 3.04mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS: 2002/95/EC
	Automotive Standard AEC-Q101

N-Channel MOSFET, Automotive SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor

The SQ series of MOSFETs from Vishay Semiconductor are designed for all automotive applications requiring ruggedness and high reliability.

Advantages of SQ Rugged Series MOSFETs

• AEC-Q101 qualified

• Junction temperature up to +175°C

• Low on-resistance n- and p-channel TrenchFET® technologies

• Innovative space-saving package options

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Approvals

AEC-Q101