IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N60P3

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168-4759
Référence fabricant:
IXFN80N60P3
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


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