IXYS HiperFET, Polar Type N-Channel MOSFET, 66 A, 500 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN80N50P

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194-029
Numéro d'article Distrelec:
302-53-378
Référence fabricant:
IXFN80N50P
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

500V

Package Type

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

38.2mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series


N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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