IXYS Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

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N° de stock RS:
804-7603
Numéro d'article Distrelec:
302-53-380
Référence fabricant:
IXFN80N60P3
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

66A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

70mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.5V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

960W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

190nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

25.07 mm

Height

9.6mm

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Distrelec Product Id

30253380

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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