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IXYS HiperFET, Polar3 Type N-Channel MOSFET, 66 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227

N° de stock RS:: 804-7603
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-380
Référence fabricant:: IXFN80N60P3
Fabricant:: IXYS

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N° de stock RS:: 804-7603
Numéro d'article Distrelec:: 302-53-380
Référence fabricant:: IXFN80N60P3
Fabricant:: IXYS

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	IXYS
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	66A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	SOT-227
	Series	HiperFET, Polar3
	Mount Type	Panel
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	70mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.5V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	960W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	190nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	9.6mm
	Length	38.23mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque IXYS
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 66A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type SOT-227
	Series HiperFET, Polar3
	Mount Type Panel
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.5V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 960W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 190nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 9.6mm
	Length 38.23mm
	Automotive Standard No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series

A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

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