IXYS Type N-Channel MOSFET, 90 A, 600 V Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXFN110N60P3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 10 unités)*

345,07 €

(TVA exclue)

417,53 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 70 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
10 +34,507 €345,07 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
168-4756
Référence fabricant:
IXFN110N60P3
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

90A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

56mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

245nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

1.5kW

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

38.23mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
US

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series


A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes