IXYS HiperFET Type N-Channel MOSFET, 36 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 10 unités)*

691,81 €

(TVA exclue)

837,09 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 10 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
10 +69,181 €691,81 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
168-4473
Référence fabricant:
IXFN36N100
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

36A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Series

HiperFET

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

240mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

380nC

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

38.23mm

Standards/Approvals

No

Width

25.42 mm

Height

9.6mm

Automotive Standard

No

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Series


MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes