IXYS HiperFET, Polar3 Type N-Channel MOSFET, 192 A, 300 V Enhancement, 4-Pin SOT-227
- N° de stock RS:
- 804-7593
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-368
- Référence fabricant:
- IXFN210N30P3
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
41,36 €
(TVA exclue)
50,05 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 1 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 244 unité(s) expédiée(s) à partir du 11 juin 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 41,36 € |
| 2 - 4 | 40,13 € |
| 5 + | 39,30 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 804-7593
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-368
- Référence fabricant:
- IXFN210N30P3
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 192A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 300V | |
| Package Type | SOT-227 | |
| Series | HiperFET, Polar3 | |
| Mount Type | Panel | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.5kW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 268nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 9.6mm | |
| Length | 38.23mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 192A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 300V | ||
Package Type SOT-227 | ||
Series HiperFET, Polar3 | ||
Mount Type Panel | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.5kW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 268nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 9.6mm | ||
Length 38.23mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Liens connexes
- IXYS HiperFET 192 A 4-Pin SOT-227 IXFN210N30P3
- IXYS HiperFET 66 A 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET 90 A 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET 66 A 4-Pin SOT-227 IXFN80N60P3
- IXYS HiperFET 90 A 4-Pin SOT-227 IXFN110N60P3
- IXYS HiperFET 86 A 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET 115 A 4-Pin SOT-227
- IXYS HiperFET 115 A 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P