Vishay Si4164DY Type N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

1 545,00 €

(TVA exclue)

1 870,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 08 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 +0,618 €1 545,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
165-7275
Référence fabricant:
SI4164DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

TrenchFET Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

30A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

Si4164DY

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0032Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

6W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

26.5nC

Forward Voltage Vf

0.72V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.55mm

Width

4 mm

Standards/Approvals

JEDEC JS709A, RoHS

Length

5mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
TW

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes