Références fabricant

Vishay Si4164DY N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4164DY-T1-GE3

N° de stock RS:: 165-7275
Référence fabricant:: SI4164DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si4164DY N-Channel TrenchFET Power MOSFET, 30 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4164DY-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 165-7275
Référence fabricant:: SI4164DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	TrenchFET Power MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	Si4164DY
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0032Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	6W
	Forward Voltage Vf	0.72V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	26.5nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	JEDEC JS709A, RoHS
	Width	4mm
	Height	1.55mm
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type TrenchFET Power MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 30A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series Si4164DY
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0032Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 6W
	Forward Voltage Vf 0.72V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -20V, +20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 26.5nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals JEDEC JS709A, RoHS
	Width 4mm
	Height 1.55mm
	Length 5mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: TW

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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