Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 10.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Voir l’ensemble des MOSFETs
Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
165-2749
Référence fabricant:
SI4128DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

10.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.03Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.8nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.5mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Length

5mm

Width

4 mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


Liens connexes