Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 10.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4128DY-T1-GE3

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710-3311
Référence fabricant:
SI4128DY-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

10.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOIC

Series

TrenchFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.03Ω

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

3.8nC

Maximum Power Dissipation Pd

5W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21

Width

4 mm

Height

1.5mm

Length

5mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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