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Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 10.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4128DY-T1-GE3

N° de stock RS:: 710-3311
Référence fabricant:: SI4128DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 10.9 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC SI4128DY-T1-GE3

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N° de stock RS:: 710-3311
Référence fabricant:: SI4128DY-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	10.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Series	TrenchFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.03Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.8nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	5W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.5mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21
	Length	5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 10.9A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Series TrenchFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.03Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.8nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 5W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.5mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21
	Length 5mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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