Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
165-7265
Référence fabricant:
SIR416DP-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

27A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

SO-8

Series

SiR416DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

69W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

59nC

Forward Voltage Vf

0.7V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Height

1.12mm

Width

5.26 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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