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Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 814-1272
Référence fabricant:: SIR416DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR416DP Type N-Channel MOSFET, 27 A, 40 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR416DP-T1-GE3

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N° de stock RS:: 814-1272
Référence fabricant:: SIR416DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	40V
	Series	SiR416DP
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.2mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	59nC
	Maximum Power Dissipation Pd	69W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.25mm
	Height	1.12mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 27A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 40V
	Series SiR416DP
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.2mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.7V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC
	Maximum Power Dissipation Pd 69W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.25mm
	Height 1.12mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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