Références fabricant

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3

N° de stock RS:: 178-3670
Référence fabricant:: SiDR392DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiDR392DP-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 178-3670
Référence fabricant:: SiDR392DP-T1-GE3
Fabricant:: Vishay Siliconix

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay Siliconix
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	TrenchFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	900μΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	+20V, +6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	125nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5mm
	Height	1.07mm
	Length	5.99mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay Siliconix
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series TrenchFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 900μΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs +20V, +6V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 125nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5mm
	Height 1.07mm
	Length 5.99mm
	Automotive Standard No

Statut RoHS : Exempté

TrenchFET® Gen IV power MOSFET

Top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

Liens connexes

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