Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2301ES-T1-GE3

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N° de stock RS:
819-3908
Référence fabricant:
SQ2301ES-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

SQ Rugged

Package Type

SOT-23

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

3W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.4 mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Height

1.02mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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