Vishay SQ Rugged Type P-Channel MOSFET, 2.2 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 SQ2301ES-T1-GE3

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819-3908
Référence fabricant:
SQ2301ES-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

2.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SOT-23

Series

SQ Rugged

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

180mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

3W

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

5nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

P-Channel MOSFET, SQ Rugged Series, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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