Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFZ44ZPBF
- N° de stock RS:
- 145-9601
- Référence fabricant:
- IRFZ44ZPBF
- Fabricant:
- Infineon
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|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,447 € | 22,35 € |
| 100 - 200 | 0,416 € | 20,80 € |
| 250 - 450 | 0,405 € | 20,25 € |
| 500 - 1200 | 0,395 € | 19,75 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 145-9601
- Référence fabricant:
- IRFZ44ZPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 51A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 29nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 80W | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 8.77mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 51A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 29nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 80W | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 8.77mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MX
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
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