Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220

N° de stock RS:: 262-6747
Référence fabricant:: IRFB52N15DPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Sous-total (1 tube de 1000 unités)*

1 332,00 €

(TVA exclue)

1 612,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 23 mars 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le tube*
1000 +	1,332 €	1 332,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 262-6747
Référence fabricant:: IRFB52N15DPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	51A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-220
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 51A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Series HEXFET
	Package Type TO-220
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRFB52N15DPBF

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters and plasma display panel.

Fully characterized avalanche voltage and current

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 51 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Liens connexes