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Vishay SiR692DP N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR692DP-T1-RE3

N° de stock RS:: 134-9731
Référence fabricant:: SIR692DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR692DP N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR692DP-T1-RE3

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N° de stock RS:: 134-9731
Référence fabricant:: SIR692DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	24.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	250V
	Package Type	SO-8
	Series	SiR692DP
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	67mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	25.3nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.26mm
	Height	1.12mm
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 24.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 250V
	Package Type SO-8
	Series SiR692DP
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 67mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 104W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25.3nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.26mm
	Height 1.12mm
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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