Vishay Type N-Channel MOSFET, 430 A, 20 V Enhancement, 8-Pin SO-8

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N° de stock RS:
210-4998
Référence fabricant:
SIR178DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

430A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.31mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

204nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 20 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 430 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Leadership RDS(ON) minimizes power loss from conduction

2.5 V ratings and operation at low voltage gate drive

100 % Rg and UIS tested

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