Vishay SiR826LDP Type N-Channel MOSFET, 86 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR826LDP-T1-RE3

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210-5005
Référence fabricant:
SiR826LDP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

86A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SiR826LDP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

90nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

83W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

6.25mm

Standards/Approvals

No

Width

5.26 mm

Height

1.12mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has PowerPAK SO-8 package type with 86 A drain current.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS - Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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