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Vishay SiDR220DP N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR220DP-T1-RE3

N° de stock RS:: 204-7230
Référence fabricant:: SIDR220DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiDR220DP N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR220DP-T1-RE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

6 018,00 €

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7 281,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	2,006 €	6 018,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 204-7230
Référence fabricant:: SIDR220DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	25V
	Series	SiDR220DP
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.58mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	200nC
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	5.15mm
	Length	6.25mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 25V
	Series SiDR220DP
	Package Type SO-8
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.58mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 200nC
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 5.15mm
	Length 6.25mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIDR220DP-T1-RE3

The Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

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