Vishay SiDR140DP Type N-Channel MOSFET, 100 A, 25 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR140DP-T1-RE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

34,69 €

(TVA exclue)

41,97 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 16 juillet 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 403,469 €34,69 €
50 - 902,809 €28,09 €
100 - 2402,602 €26,02 €
250 - 4902,428 €24,28 €
500 +2,324 €23,24 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
204-7236
Référence fabricant:
SIDR140DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

SiDR140DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

113nC

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

125W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.15 mm

Standards/Approvals

No

Height

0.61mm

Length

6.15mm

Automotive Standard

No

The Vishay N-Channel 25 V (D-S) MOSFET has a top side cooling feature provides additional venue for thermal transfer. It has optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss.

100 % Rg and UIS tested

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Liens connexes