Vishay SiR692DP N-Channel MOSFET, 24.2 A, 250 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIR692DP-T1-RE3

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N° de stock RS:
134-9163
Référence fabricant:
SIR692DP-T1-RE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

250V

Series

SiR692DP

Package Type

SO-8

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

67mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

-20V, +20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25.3nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

5.26mm

Height

1.12mm

Standards/Approvals

No

Length

6.25mm

Automotive Standard

No

N-Channel MOSFET, TrenchFET up to Gen III, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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