Vishay SiDR680ADP Type N-Channel MOSFET, 137 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- N° de stock RS:
- 204-7257
- Référence fabricant:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
3 888,00 €
(TVA exclue)
4 704,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 01 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 1,296 € | 3 888,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 204-7257
- Référence fabricant:
- SIDR680ADP-T1-RE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 137A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Series | SiDR680ADP | |
| Package Type | SO-8 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.88mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5.9mm | |
| Height | 0.51mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 137A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Series SiDR680ADP | ||
Package Type SO-8 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.88mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5.9mm | ||
Height 0.51mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Vishay N-Channel 80 V (D-S) MOSFET has a very low RDS - Qg figure-of-merit (FOM) and is tuned for the lowest RDS - Qoss FOM.
100 % Rg and UIS tested
TrenchFET Gen IV power MOSFET
Liens connexes
- Vishay SiDR680ADP Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIDR680ADP-T1-RE3
- Vishay SiR180ADP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR180ADP Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SiR180ADP-T1-RE3
- Vishay SiR826LDP Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay SiR680LDP Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8
- Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8