Vishay TrenchFET Type N-Channel MOSFET, 45.3 A, 70 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiS178LDN-T1-GE3

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228-2923
Référence fabricant:
SiS178LDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

45.3A

Maximum Drain Source Voltage Vds

70V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

9.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

39W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

18.7nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Vishay TrenchFET N-channel is 70 V MOSFET.

100 % Rg and UIS tested

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