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Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 91 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD4604LDN

N° de stock RS:: 735-141
Référence fabricant:: SiSD4604LDN
Fabricant:: Vishay

Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 91 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD4604LDN

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N° de stock RS:: 735-141
Référence fabricant:: SiSD4604LDN
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N channel
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	91A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SiS
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0034Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	42nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Forward Voltage Vf	60V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Length	4mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Width	4mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N channel
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 91A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SiS
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0034Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Forward Voltage Vf 60V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Length 4mm
	Standards/Approvals RoHS
	Width 4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiSD4604LDN

Pays d'origine :: IL

The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

57W power dissipation

28A continuous drain current

Low 15nC maximum total gate charge

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