Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 91 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD4604LDN

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N° de stock RS:
735-141
Référence fabricant:
SiSD4604LDN
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

N channel

Maximum Continuous Drain Current Id

91A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK 1212

Series

SiS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0034Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

42nC

Forward Voltage Vf

60V

Maximum Power Dissipation Pd

57W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

4mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

4mm

Height

1mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
IL
The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

57W power dissipation

28A continuous drain current

Low 15nC maximum total gate charge

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