Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8340
- Référence fabricant:
- SIS112LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,572 € | 14,30 € |
| 50 - 75 | 0,561 € | 14,03 € |
| 100 - 225 | 0,427 € | 10,68 € |
| 250 - 975 | 0,418 € | 10,45 € |
| 1000 + | 0,259 € | 6,48 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8340
- Référence fabricant:
- SIS112LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 | |
| Series | SIS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.119Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8 | ||
Series SIS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.119Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 4 power MOSFET is single configuration MOSFET. It is lead free and halogen free and It is used an application as primary side switch, motor drive switch and boost converter.
Tuned for the lowest figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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