Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8340
- Référence fabricant:
- SIS112LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,64 € | 16,00 € |
| 50 - 75 | 0,627 € | 15,68 € |
| 100 - 225 | 0,478 € | 11,95 € |
| 250 - 975 | 0,468 € | 11,70 € |
| 1000 + | 0,29 € | 7,25 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8340
- Référence fabricant:
- SIS112LDN-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 8.8A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 | |
| Series | SIS | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.119Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 19.8W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 11.8nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 8.8A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8 | ||
Series SIS | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.119Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 19.8W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 11.8nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
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