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Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 55 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5110DN

N° de stock RS:: 735-132
Référence fabricant:: SiSD5110DN
Fabricant:: Vishay

Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 55 A, 100 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5110DN

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N° de stock RS:: 735-132
Référence fabricant:: SiSD5110DN
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id	55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	SiS
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0095Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	19.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Forward Voltage Vf	100V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	4mm
	Width	4mm
	Height	1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N channel
	Maximum Continuous Drain Current Id 55A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series SiS
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0095Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 19.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Forward Voltage Vf 100V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 4mm
	Width 4mm
	Height 1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SiSD5110DN

Pays d'origine :: DE

The Vishay N-Channel TrenchFET Gen V power MOSFET optimized for low-loss switching in AI power server solutions and high-density power supplies. It achieves a 100V drain-source rating with exceptionally low on-resistance of 9.5 mΩ maximum at 10V gate drive to minimize conduction losses.

55A continuous drain current at TC=25°C

57W maximum power dissipation

Low total gate charge of 29nC maximum

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