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Vishay SiS N-Channel MOSFET, 198 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISD5300DN-T1-GE3

N° de stock RS:: 735-152
Référence fabricant:: SISD5300DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiS N-Channel MOSFET, 198 A, 30 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SISD5300DN-T1-GE3

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N° de stock RS:: 735-152
Référence fabricant:: SISD5300DN-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	198A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Series	SiS
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.00087Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	30V
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	16V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	59nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Length	4mm
	Width	4mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 198A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Series SiS
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.00087Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 30V
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 16V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Standards/Approvals RoHS
	Length 4mm
	Width 4mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SiSD5300DN

Pays d'origine :: IL

The Vishay N-Channel MOSFET rated for 60V drain-source voltage, optimized for high-efficiency switching in AI power server DC/DC converters and synchronous rectification circuits. It achieves very low on-resistance of 1.7mΩ maximum at 10V gate drive for minimal conduction losses in high-current applications

94A continuous drain current at TA=25°C

54.3nC typical total gate charge for fast switching

-55°C to +175°C extended junction temperature range

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