Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 87 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8PT SiSA12BDN-T1-GE3

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239-5400
Référence fabricant:
SiSA12BDN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

87A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

PowerPAK 1212-8PT

Series

SIS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0043Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

10nC

Maximum Power Dissipation Pd

52W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Height

0.75mm

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

The Vishay N channel MOSFET has drain current of 87 A. It is used for high power density DC/DC, synchronous rectification, VRMs and embedded DC/DC, battery protection

100 % Rg and UIS tested

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