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Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 64 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5806DN

N° de stock RS:: 735-136
Référence fabricant:: SiSD5806DN
Fabricant:: Vishay

Vishay SiS N channel-Channel MOSFET, 64 A, 80 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212 SiSD5806DN

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N° de stock RS:: 735-136
Référence fabricant:: SiSD5806DN
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	N channel
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	SiS
	Package Type	PowerPAK 1212
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0069Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	22nC
	Forward Voltage Vf	80V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Power Dissipation Pd	57W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1mm
	Width	4mm
	Length	4mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type N channel
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 64A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series SiS
	Package Type PowerPAK 1212
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0069Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 22nC
	Forward Voltage Vf 80V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Power Dissipation Pd 57W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1mm
	Width 4mm
	Length 4mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SiSD5806DN

Pays d'origine :: DE

The Vishay N-Channel MOSFET rated for 80V drain-source voltage, specifically engineered for low-loss operation in AI power server solutions and high-efficiency DC/DC converters.

64A continuous drain current at TC=25°C

57W maximum power dissipation

33nC maximum total gate charge

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