Vishay SIS Type N-Channel MOSFET, 58.1 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SiSS588DN-T1-GE3

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239-5405
Référence fabricant:
SiSS588DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

58.1A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Series

SIS

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.008Ω

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14.2nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

56.8W

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.3 mm

Length

3.3mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Vishay N channel power MOSFET has drain current of 58.1 A. It is used for synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converters, OR-ing and hot swap switch, power supplies, motor drive control, battery management

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

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