STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET Type N-Channel, 56 A, 1200 V Enhancement, 4-Pin Hip-247-4 SCT025W120G3-4

Actuellement indisponible
Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.
N° de stock RS:
671-937
Référence fabricant:
SCT025W120G3-4
Fabricant:
STMicroelectronics
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

STMicroelectronics

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

56A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1200V

Series

STPOWER Gen3 SiC MOSFET

Package Type

Hip-247-4

Mount Type

Through Hole

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

37mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

389W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Operating Temperature

200°C

Length

35.9mm

Standards/Approvals

No

Height

5.15mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Pays d'origine :
CN

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.