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STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET N-Channel, 110 A, 900 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT012W90G3AG

N° de stock RS:: 671-931
Référence fabricant:: SCT012W90G3AG
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET N-Channel, 110 A, 900 V Enhancement, 3-Pin HIP-247-3 SCT012W90G3AG

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N° de stock RS:: 671-931
Référence fabricant:: SCT012W90G3AG
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Series	STPOWER Gen3 SiC MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	110 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	900 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	3
	Package Type	HIP-247-3
	Automotive Standard	AEC-Q101
	Height	5.15 mm
	Length	35.9 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	15.8 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	22 V
	Maximum Operating Temperature	200 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	625 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Through Hole
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	138 nC
	Width	15.75 mm

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	Marque STMicroelectronics
	Series STPOWER Gen3 SiC MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 110 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 900 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 3
	Package Type HIP-247-3
	Automotive Standard AEC-Q101
	Height 5.15 mm
	Length 35.9 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 15.8 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 22 V
	Maximum Operating Temperature 200 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 625 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Through Hole
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 138 nC
	Width 15.75 mm

Pays d'origine :: CN

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