Références fabricant

STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET N-Channel, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7

N° de stock RS:: 671-932
Référence fabricant:: SCT018H65G3-7
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics STPOWER Gen3 SiC MOSFET N-Channel, 55 A, 650 V Enhancement, 7-Pin H2PAK-7 SCT018H65G3-7

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N° de stock RS:: 671-932
Référence fabricant:: SCT018H65G3-7
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Series	STPOWER Gen3 SiC MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	55 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	650 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	7
	Package Type	H2PAK-7
	Automotive Standard	No
	Height	4.8 mm
	Length	15.25 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	20 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	18 V
	Maximum Operating Temperature	175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	385 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	79.4 nC
	Width	10.4 mm

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	Marque STMicroelectronics
	Series STPOWER Gen3 SiC MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 55 A
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 650 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 7
	Package Type H2PAK-7
	Automotive Standard No
	Height 4.8 mm
	Length 15.25 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 20 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) 18 V
	Maximum Operating Temperature 175 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 385 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 79.4 nC
	Width 10.4 mm

Pays d'origine :: CN

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