STMicroelectronics SCT MOSFET, 55 A, 1200 V H2PAK-7
- N° de stock RS:
- 365-166
- Référence fabricant:
- SCT025H120G3-7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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- N° de stock RS:
- 365-166
- Référence fabricant:
- SCT025H120G3-7
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 55A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1200V | |
| Series | SCT | |
| Package Type | H2PAK-7 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 27mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 55A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1200V | ||
Series SCT | ||
Package Type H2PAK-7 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 27mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
The STMicroelectronics Silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s Advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low capacitances and very high switching operations, which improve application performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.
AEC-Q101 qualified
Very low RDS(on) over the entire temperature range
High speed switching performances
Very fast and robust intrinsic body diode
Source sensing pin for increased efficiency