Vishay SIR5607DP Type P-Channel MOSFET, 90.9 A, 60 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK SIR5607DP-T1-UE3

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 ruban de 1 unité)*

2,26 €

(TVA exclue)

2,73 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 6 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Ruban(s)
le ruban
1 - 92,26 €
10 - 242,20 €
25 - 992,15 €
100 - 4991,82 €
500 +1,72 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
653-196
Référence fabricant:
SIR5607DP-T1-UE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

90.9A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

PowerPAK

Series

SIR5607DP

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.007Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

31.7nC

Maximum Power Dissipation Pd

104W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

1.12mm

Length

6.25mm

Width

5.26 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay P-channel MOSFET designed for efficient switching in Compact power systems. It supports up to 60 V drain-source voltage and is housed in a PowerPAK SO-8 package. Built using TrenchFET Gen V technology, it offers very low RDS(on), which minimizes voltage drop and conduction losses.

Pb Free

Halogen free

RoHS compliant

Liens connexes