Vishay TrenchFET P-Channel MOSFET, -136.7 A, -20 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5207DN-T1-UE3

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N° de stock RS:
735-204
Référence fabricant:
SISS5207DN-T1-UE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

P-Channel

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-136.7A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-20V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.011Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

139nC

Maximum Power Dissipation Pd

65.7W

Maximum Operating Temperature

150°C

Height

0.83mm

Length

3.4mm

Standards/Approvals

RoHS Compliant

Width

3.4mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay P channel 20 V MOSFET is tailored for efficient load switching in Compact electronic designs. it combines reliable performance with eco-friendly compliance, ensuring safe and sustainable operation. its low-voltage capability makes it Ideal for modern consumer and automotive applications requiring dependable switching solutions.

Ensures RoHS compliance for environmental safety

Delivers halogen free construction for safer usage

Offers suitability for load switch applications

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